通过在AlxGa1-xAs/GaAs异质结表面制作一对分裂门,获得了用于实现声表面波单电子输运的准一维量子线.实验研究了0.3 K时电子沿该量......

表面声波(SAW)在GaAs/AlxGa1-xAs量子阱表面沿一维电子通道方向传播时,可诱导产生声电电流.由于GaAs/AlxGa1-xAs材料的压电效应,伴......

在甚低温(0.236 K)下,通过实验研究了叉指换能器的频率特性以及准一维电子通道中不同源漏电流与分裂门负电位的关系,获得了分裂门......