采用InGaAs／InGaAsP应变量子阱折射率分别限制（SCH）宽波导结构结合优化欧姆接触减小串联电阻的方法，制作出高效率大功率1．06μm波段半导......

本论文主要围绕808nm 连续大功率半导体激光器,980nm 连续大功率垂直腔面发射激光器和1064nm 连续、准连续大功率激光列阵模块光学......

利用InGaAs／InGaAsP应变量子阱外延层材料制作出高功率半导体激光列阵模块。激光芯片宽1cm，腔长1200μm，条宽200μm，填充密度为50%，前后......