刻蚀倾角相关论文
介绍了用于SiC器件浅槽制作的ICP-RIE刻蚀原理,选用Cl2/Ar混合气体对SiC材料进行浅槽刻蚀,研究了ICP功率和RIE功率对刻蚀速率、刻......
采用反应离子体刻蚀机结合CHF，＋SF6—O2混合气体刻蚀二氧化硅的工艺研究，并且采用正交试验方法调整刻蚀参数，得出影响刻蚀倾角的主要因......
