刻蚀条件相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

刻蚀条件相关论文

在改型的Si衬底上制备ZnO纳米结构

作为第三代半导体,氧化锌(ZnO)是一种典型的Ⅱ-Ⅵ族直接带系宽禁带半导体材料,其禁带宽度达到3.4eV,具有优异的短波长发光能力；激子......

学位

Si衬底改型水热法氧化锌纳米结构

微米、亚微米掩模等离子刻蚀技术初探

本文将着重阐述等离子刻蚀技术在制作超大规模集成电路中精细掩模的优越性及工艺原理。然后结合介绍等刻设备LFE501的特性和具体实......

期刊

离子刻蚀技术刻蚀速率亚微米等离子刻蚀射频功率反应气体低温等离子体体等离子体干法腐蚀刻蚀条件

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