GaSe晶体是目前最有前景的中红外非线性晶体，尤其是差频产生太赫兹应用方面，而实现差频产生太赫兹的前提条件就是满足相位匹配.GaSe......

采用LPCVD技术，以CH4和H2混合气体为反应源气，在n—Si（111）衬底上生长3C-SiC晶体薄膜。H2在反应过程中作为稀释气体和运输气体，CH4作为......