化学气相淀积法相关论文
文章根据Si1-xGex(锗硅)合金的CVD(化学气相淀积)生长特性和Grove理论,提出了Si1-xGex合金的生长分立流密度机制.基于分立流密度机......
目前有源平板显示领域主要采用PECVD法制备TFT用硅薄膜,但是由于PECVD中等离子对Si薄膜的损伤以及淀积薄膜的温度很高的缺点,其在......
等离子增强化学气相淀积法(PECVD)制备的氮化硅薄膜具有沉积温度低、生长速率高、残余应力可调节等特点,在微电子机械系统(mic......
8月28日,记者从中科院上海微系统所获悉,该所信息功能材料国家重点实验室SOI课题组与超导课题组,采用化学气相淀积法,在锗衬底上直......
中科院上海微系统所信息功能材料国家重点实验室SOI课题组与超导课题组，采用化学气相淀积法在锗衬底上直接制备出大面积、均匀的、......
<正> 一、引言金属有机化学气相淀积法(简称MOCVD法)是1968年由H.M.Manasevit等首先提出的。该法以挥发性金属有机物和气态的非金......
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