半导体平面工艺相关论文
硅漂移探测器(SDD)结构由E.Gatti和P.Rehak于1983年提出，因其输出电容小(一般小于0.1pF)且不依赖于探测器面积，电子学噪声一般远小于......
本文介绍采用半导体平面工艺研制的Y分支器．为减少分支处的幅射损耗．并考虑分支器波导耦合长度，Y分支器的分支角度设计值为2度。Y分支......
将聚酰亚胺（PI）薄膜制作在金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）的栅极上,当环境湿度发生变化时,将引起PI吸湿量的变化,电容量改变,据此可......
摘要：本文先介绍了半导体平面工艺的发展史，及其在重要的现实意义，然后简单叙述了本实验教学中心开设的《半导体器件平面工艺实验》的......
