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半绝缘氮化镓相关论文
GaN基HEMT材料生长与物性研究
氮化镓(GaN)基材料具有禁带宽度大,电子饱和漂移速度大,化学稳定性好,抗辐射,耐高温,容易形成异质结等优势,成为制造高温,高频,大功率,抗辐......
学位
金属有机物
化学气相沉积
高电子迁移率晶体管
二维电子气
半绝缘氮化镓
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