单空位缺陷相关论文
石墨烯中的点缺陷可以被人为创造并能提升本征石墨烯的相对性能.缺陷石墨烯是用于电子器件和传感器的潜在材料.在光照或热处理条件......
基于第一性原理电子结构和输运性质计算,研究了单空位缺陷对单层石墨纳米带(包括zigzag型和armchair型带)电子性质的影响.研究发现......
碳纳米管具有许多新颖的物理性质和化学性质,因而是一种有着广泛应用前景的纳米器件材料。然而,实际的碳纳米管上总不可避免地存在......
本文基于密度泛函理论的第一性原理计算了单空位缺陷对扶手椅型石墨烯纳米带电学特性的影响.计算结果表明:当单空位位于纳米带边缘......
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