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亚微米PD CMOS/SOI工艺及H栅单边体引出研究
研究开发了0.4μm PD CMOS/SOI工艺,试制出采用H栅双边体引出的专用电路。对应用中如何克服PD SOI MOSFET器件的浮体效应进行了研......
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亚微米工艺
H栅
PD
CMOS/SOI
浮体效应
单边体引出
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