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单量子阱近似模型相关论文
InGaN/GaN量子阱动力学特征分析
采用单量子阱近似模型,对InGaN/GaN量子阱中的激子和电子在导带子带间跃迁的光吸收效应进行了理论分析和数值计算.结果表明,In的含量......
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INGAN/GAN
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半导体材料
光吸收效应
跃迁
quantum well InGaN/GaN approximate mode
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