以Al（CH3）3和H2O为反应源，在270℃下用原子层淀积（ALD）技术在Si衬底上生长了Al2O3薄膜．采用X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、原子力显......

原子层淀积(ALD)技术作为一种先进的薄膜制备方法近年来越来越得到重视,它能精确地控制薄膜的厚度和组分,实现原子层级的生长,生长......

国内外的研究报道表明,高性能AlGaN/GaN异质结器件在大功率微波领域的应用有较大的优势,然而从AlGaN/GaN异质结器件诞生以来伴随的......