双基区晶体管相关论文
利用硅双基区晶体管(DUBAT)产生负阻的原理,针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点,设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT(NDRHB......
利用硅双基区晶体管(DUBAT)产生负阻的原理,针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点,设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT(NDRHB......
光电双基区晶体管（ＰＤＵＢＡＴ）是一种能产生“Ｎ”型光电负阻特性的新型光电负阻器件。通过对试制出的样管进行测试，发现ＰＤＵＢＡＴ在无外接电感的情况下即可......
在重点考虑了提高击穿电压和增大电流容量的基础上，设计并研制出功率型ＤＵＢＡＴ。其主要参数达到：ＢＶＣＥＯ≥１２０Ｖ，ＩＣＭ≥２Ａ，ＲＮ≈５０－１１０Ω，ＰＣＭ≥１０Ｗ。并在此器件上首次发现了电压（流......
利用硅双基区晶体管（DuBAT）产生负阻的原理，针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点，设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT（NDRHBT）．经过......
三端电压控制型负阻器件（３）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第三章双基区晶体管［８］双基区晶体管（Ｄｕａｌ－ＢａｓｅＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ），简称ＤＵＢＡＴ。一般情况下它是以一横向ｐｕｐ双极管作为反馈器......
双基区晶体管是一种硅基三端压控型负阻器件,它的Ic—Vbe曲线具有双稳态特性。利用双基区晶体管的负阻、高速特性构成的静态随机存......
