同质外延片相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

同质外延片相关论文

高质量6英寸4H-SiC同质外延层快速生长

采用化学气相沉积法在6英寸(1英寸= 2.54 cm)4°偏角4H-SiC衬底上进行快速同质外延生长,通过研究Si/H2比(所用气源摩尔比)与生长速......

期刊

4H-SiC 同质外延片 C/Si比表面缺陷密度基面位错(BPD)密度

4H-SiC同质外延基面位错的转化

采用化学气相沉积法在4°偏角4H-SiC衬底上进行同质外延生长,并使用500℃熔融KOH对SiC衬底及外延片进行腐蚀.采用同步加速X射线衍......

期刊

4H-SiC 同质外延片基面位错(BPD) 刃位错侧向生长碳硅比

看过本文同时还关注