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后栅硅化物工艺相关论文
后栅硅化物工艺研究
随着MOSFET特征尺寸进入20nm技术节点,接触电阻将成为源漏寄生电阻的主要部分,而后栅工艺的采用对硅化物的耐高温特性提出了高的要求......
学位
后栅硅化物工艺
接触电阻
肖特基势垒高度
界面态
薄膜特性
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