四角畸变相关论文
当杂质离子进入晶体替代其中的离子时,由于杂质的大小(离子半径)和所带电荷常常不同于被替代的基质晶体离子而形成杂质中心,这些杂......
采用晶场理论,计算了MgO中Cr3+空位中心C4v对称四角畸变的光谱和EPR(电子顺磁共振)参量g因子和D,得到了与实验一致的结果。......
Cr^3+和V^2+离子分别掺进晶体MgO时,将引起局域结构产生四角畸变,本文研究了掺杂晶体MgO;V^2+和MgO;Cr^3+的EPR零场分裂D,理论计算和实验观察基本一致;并指出,MgO:V^2+局域结构的四......
在晶体场与配位场理论的基础上,利用3d9离子在四角伸长八面体环境下的自旋哈密顿(spinHamiltonian,SH)参量高阶微扰公式,计算了铅......