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利用磁过滤阴极电弧技术，通过改变基片负偏压（0—500V）制备四面体非晶碳（ta—c）薄膜，研究基片负偏压对ta—C薄膜结构和摩擦因数的影响。......
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利用离面双弯曲过滤阴极真空电弧沉积系统,在Φ 200 mm单晶硅片上制备四面体非晶碳薄 膜.利用 Dectek3型表面轮廓仪检验膜厚均匀性......
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