图形化SOI衬底相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

图形化SOI衬底相关论文

图形化Silicon-on-Insulator衬底上分子束外延生长可动GaN微光栅的研究

GaN材料作为第三代半导体材料，具有宽禁带、直接带隙、耐腐蚀等优点，是一种非常有前景的MOEMS材料。由于GaN的刻蚀目前尚未成熟，因此......

期刊

分子束外延 GAN 图形化SOI衬底光栅光致发光 Molecular beam epitaxy GaN Patterned SOI substrate Gr

基于图形化SOI衬底的氮化镓微驱动器的研究

光微机电系统(MOEMS)由于其微型化、可集成化、可批量生产等优点成为21世纪研究的热点,广泛应用于光通信系统、光学显示、光电子器......

学位

微机电系统梳状静电微驱动器图形化SOI衬底氮化镓光栅

看过本文同时还关注