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基于应变Si/SiGe的CMOS电特性模拟研究
提出了一种应变Si/SiGe异质结CMOS结构,采用张应变Si作n-MOSFET沟道,压应变SiGe作p-MOSFET沟道,n-MOSFET与p-MOSFET采用垂直层叠结构,二......
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异质结互补金属氧化物半导体场效应晶体管
应变SI
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垂直层叠
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