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对垂直梯度凝固法(VGF)和液封直拉法(LCE)生长的InP单晶片进行了研究,并作了全面质量比较。用来表征缺陷结构的方法有:1)腐蚀法揭......
提拉法和垂直梯度凝固法是单晶硅生长中的两种主要方法。随着工业上对单晶硅质量要求的提高，越来越多的影响晶体质量的因素进入研究......
本文报道了垂直梯度凝固法（VGF）生长PWO晶体的研究结果。通过优化工艺参数,成功获得直径25 mm、长度140 mm的PWO晶体。通过测试PWO晶......
3.2 砷化镓材料用于大量生产砷化镓晶体的方法是传统的LEC法(液封直拉法)和HB法(水平舟生产法)。国外开发了兼具以上2种方法优点的......
垂直梯度凝固法(VGF)生长的低位错半绝缘(SI)GaAs单晶存在电阻率和迁移率低、电学补偿度小、均匀性差等问题.在3种不同温度条件下,......
为了获得高电阻率及迁移率的半绝缘GaAs单晶材料,采用经高压及水平合成不同工艺制得的GaAs多晶料,进行垂直梯度凝固(VGF)法半绝缘G......
钨酸铅（PWO）晶体由于其自身特点：高密度、短辐射长度和Moliere半径、快的闪烁衰减时间及较强的抗辐照损伤能力，成为欧洲核子中心（CERN）建......
阐述了VGF法SI-GaAs单晶生长工艺中非平坦形固液界面形成的原因,分析了由此导致的单晶尾部径向电阻率不均匀性分布及单晶可利用率......
