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基片掺杂与热氧化SiO2薄膜驻极体的电荷贮存特性
运用干-湿-干温热氧化工艺,在4种不同掺杂类型的单晶硅基片上,制备成功非晶态SiO2薄膜驻极体。恒栅压电晕充电,等温表面电位衰减及热刺激放电......
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二氧化硅
基片掺杂
SiO_2 film
electret
charge storage
substrate doping
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