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复制位线延迟相关论文
用于低电压下SRAM灵敏放大器工艺变化鲁棒性时序的多级双复制位线延迟技术(英文)
目的:针对低电压下传统SRAM灵敏放大器控制时序受工艺、温度变化而引起的较大的控制时序的波动,设计一种基于多级双复制位线延迟技......
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低电压CMOS静态随机存储器的研究与设计
随着物联网行业的兴起,微处理器对功耗的要求越来越高,而用于高速缓存的静态随机存储器(SRAM)是微处理器的重要组成部分,为了降低......
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