利用磁控溅射和光刻去胶法制备了结区面积为20×40μm的磁性隧道结(MTJ),室温下隧穿磁电阻(TMR)比值为28.7﹪,结电阻和结面积的积矢(......

采用磁控溅射法制备了Fe-Ti-O薄膜样品.XPS分析显示,样品的主要成份是FeO和TiO,XRF给出的体积比为(FeO)(TiO).MPMS的测量结果表明,......

本论文以钙钛矿型稀土锰氧化物为研究对象，通过特殊的制备工艺，研究了B位Nb元素掺杂对纯的具有Mn3+：Mn4+择优比的La2/3Sr1/3MnO3和La2......

庞磁电阻(简称CMR)效应的发现使得具有钙钛矿结构的稀土锰氧化物体系受到了人们的广泛关注。一方面因为CMR效应在磁存储器、磁传感......

采用溶胶-凝胶方法制备了系列样品La_（0.75）Sr_（0.25-x）K_xMnO_3（x=0.00,0.05,0.07,0.10）。对系列样品进行了相结构、磁性和电输运性质的......

将La0.67Sr0.33MnO3（LSMO）、Ag2O及TiO2粉混合经高温烧结后制备了钙钛矿相/xAg两相复合体系（x是Ag与钙钛矿材料的物质的量比）,系统地研......

在溶胶-凝胶法制备的La2/3Ba1/3MnO3（LBMO）微粉中掺入WO3，制备了La2/3Ba1/3MnO3＋xWO3（x=0～0．20）多晶陶瓷样品．实验发现，随x增加，样品的电阻率......

对采用溶胶凝胶法制备的不同Ag含量的La1-xAgx MnO3样品进行了研究．观察到Ag的名义含量x为0．3和0．65的样品表现出显著的室温磁电阻，在1......

在溶胶-凝胶法制备的La0.67Ba0.33MnO3(LBMO)微粉中掺入CuO粉,制成一系列(LBMO)/(CuO)x(x=0.01～0.1,为摩尔比) 掺杂材料,实验结果发......

通过溶胶-凝胶法制备了La2/3Sr1/3MnO3+xWO3(x=0~25%)系列多晶陶瓷样品.结果表明,随着WO3掺杂量的增加,样品的电阻率增大,金属-绝......