研究了 Si Ge/Si HBT基区 B杂质的偏析和外扩散对器件的影响 .发现用 MBE生长的Si Ge基区中 ,在材料生长时 B杂质的上述行为会严重......

研究了ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ基区Ｂ杂质的偏析和外扩散对器件影响。发现用ＭＢＥ生长的ＳｉＧｅ基区中，在材料生长时Ｂ杂质的上述行为会严重破坏器件的室温电流增益并改变......