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NMOS晶体管沟道边缘电离辐射寄生漏电
对典型MOS器件的沟道边缘电离辐射寄生漏电进行了研究。给出了电离辐射条件下不同辐照剂量、辐照偏置、栅结构、沟道尺寸的典型NMO......
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NMOS晶体管
电离辐射效应
寄生漏电
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