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硅锗团簇结构与电子性质的研究对于研发新型微电子材料具有重要意义.将遗传算法和基于密度泛函理论的紧束缚方法相结合,研究了SimG......
低维硅锗材料是制备纳米电子器件的重要候选材料,是研发高效率、低能耗和超高速新一代纳米电子器件的基础材料之一,有着潜在的应用......
随着微电子工业和纳米技术的不断发展,对低维锗材料物理和化学性质的研究正成为研发新型微纳电子器件的基础.采用遗传算法和密度泛......
伴随着人类科学技术的不断进步,人类对能源利用的效率和需求也都在不断地提高,这为光伏器件的发展提供了极大的空间和机会。然而,......
采用基于密度泛函理论的紧束缚方法和遗传算法相结合的方法对SixGey(x+y=n,n=2～5)二元团簇的低能稳定结构进行了全局搜索,分析了包......
六方氮化硼(h-BN)是一种二维层状纳米材料,具有优异的力学、光学、电学和热学性能,在复合材料、光电、高温传热等方面具有令人期待......
在原子尺度上研究硅（Si）材料的结构对于微纳米电子器件的微小化发展和应用有远大的意义。本文运用密度泛函紧束缚方法,对具有不同原......
