提出一种完全新型的ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ全兼容功率集成结构的设计方法。该结构采用与ＶＤＭＯＳ工艺兼容的对接沟道结构形成ＮＭＯＳ器件，利用ＶＤＭＯＳ工艺中ｐ＾＋区反刻过程形成ＮＭＯＳ器件的......