本文主要研究分析了硅三极管电子辐照的残余电压效应。文章以实验的形式来进行研究探讨。指出了在硅三极管的应用中，若经过电子辐照......

由于InGaN的物理性质，在传统AlGaN／GaN单异质结中嵌入一定厚度的InGaN层，会使二维电子气的密度提高为原来的近两倍。正是从导带差、极......

本文用电化学Ｃ－Ｖ剖面技术研究了接近器件结构的ｎ－ｎＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ／ＧａＡｓ同型异质结的界面特性，测量了载流子浓度分布，用多项式逐段拟合的方法，计算得到异质结界面......