局部氧化隔离相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

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埋氧厚度对硅膜阈值电压及硼杂质分布的影响

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绝缘体上硅局部氧化隔离界面应力 silicon-on-insulator LOCOS isolation interface stress

应用于LOCOS隔离工艺的平坦化技术研究

介绍了LOCOS隔离技术的原理,研究了应用于LOCOS工艺的反刻平坦化技术,通过调整刻蚀中反应气体流量等工艺参数,在CHF3流量50 mL/min......

期刊

局部氧化隔离化学机械抛光反刻抛光速率选择比

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