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碳化硅邻晶面外延生长机制的动力学蒙特卡罗模拟
用动力学蒙特卡罗方法研究了3C-SiC(111)邻晶面的外延生长机制。生长温度、沉积速率和平台宽度对邻晶面外延生长模式有着重要的影......
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碳化硅
动力学蒙特卡罗法
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晶体生长
岛核密度
silicon carbideKinetic Monte Carlo modelepitaxial gr
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