带隙电压相关论文
本文基于UMC 0.18μm工艺条件,设计了一种用于电容传感器检测电路的电压基准源结构。该电路采用两个晶体管串联的形式减小运放失调......
基于CSMC 0.6μm CMOS工艺设计了一种低温漂二阶曲率补偿基准源。它利用被偏置在亚阈值区的MOS管的源漏电流与栅源电压的指数关系,......
随着便携式设备的发展，待机时间成为电子产品性能的一个重要指标。电池能量密度的发展速度远远落后于便携式设备对功耗的要求，因此高......
介绍了一种BiCMOS工艺制作的高电源抑制比和高精确度的带隙基准电压源，其输出电压为1．2V，在-40℃～80℃范围内有较好的温度特性，温度漂移......
设计了一种具有自启动功能、无运放，适用于高电源电压电视液晶显示器驱动芯片的高性能带隙基准电源电路。采用自启动，无运放架构，大大......
