带隙蓝移相关论文
用电化学沉积方法制备了ZnO纳米柱阵列.在Zn(NO3)2基础电解液中加入新电解质并引入NH4NO3和Ga(NO3)3,实现了对ZnO纳米柱阵列的带隙......
纳米尺度的半导体Sn团簇,由于受到量子受限效应的影响,其光学带隙蓝移,出现了位于可见光区的光吸收边.利用该原理,通过引入Sn纳米......
研究了氖离子注入诱导ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱材料带隙变化的规律。研究结果表明，由氖离子注入引起量子阱带隙蓝移。蓝移的大小与量子阱的宽度，阱距表......
随着半导体晶体生长技术的发展,目前已经能够生长出高质量的量子阱材料.近些年来,基于量子理论的光电子器件也得到了迅速发展,正在......
学位
该文用量子阱互混方法中的无杂质空位扩散的方法,研究了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体量子阱结构材料的带隙蓝移.实验中所用的样品都是用气......
实现半导体光子集成(PIC)和光电子集成(OEIC)的关键问题是工艺上如何采用简单可靠的方法,在同一衬底上制成具有不同禁带宽度的光电......
光子集成(PIC)及光电集成(OEIC)器件的制备中，量子阱混合技术(QWI)，作为一种十分有效的单片集成工艺手段，以其工艺简单、又能有效地调......
研究了氖离子注入诱导 In Ga As/In P量子阱材料带隙变化的规律 .研究结果表明 ,由氖离子注入引起量子阱带隙蓝移 .蓝移的大小与量......
离子注入诱导无序（IICD）和无杂质空住扩散（IFVD）方法是在同一基片上生长量子阱以后再导致部分区域量子阱混合（QWI）的重要方法。本文采用......
为在新型太阳能电池等光电器件中应用ZnO纳米结构,需要对ZnO纳米结构阵列的几何形貌及光电物理性质进行裁剪与操控。采用电化学沉......
通过对不同形成阶段气一液界面Ｌａｎｇｍｕｉｒ膜诱导下的ＣｄＳ粒子的研究，证实了气一液界面ＣｄＳ粒子点→网→片→交叠的形成过程，紫外可见吸收光谱分析表明这......
研究了氖离子注入诱导ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱材料带隙变化的规律，研究结果表明，由氖离子注入引起量子阱带隙蓝移。蓝移的大小与量子阱的宽度，阱距表面......
