利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱材料。利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续(500μs，100Hz)输......

本文报道用低压有要金属化合物化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）外延生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变量子阱材料，材料参数与外延条件的关系，量子阱器件的结构设计及其器件应用，用......

介绍应为量子阱材料的稳定性理论－－能量平衡模型，报告几个典型的与晶体质量蜕化有关的光荧光谱，计算机几种常用应奕多量子阱结构材料的......