本文采用基于第一性原理的方法对两个典型的碳化物TiC和VC的(001)弛豫表面构型以及O在该表面上的吸附情况进行系统研究.......

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该文利用形式散射理论的格林函数方法及紧束缚最近邻sps和spd模型计算了两种在应用方面具有一些优异特性的反常弛豫的半导体材料Ⅲ......

采用最近邻的紧束缚的ｓｐ＾３．ｓ模型，利用形式散射理论的格林函数方法，计算了ＩｎＡｓ（１１０）弛豫表面的电子结构给出了表面投影能带和Ｍ占的层态密度，分析了产生......