微波光电导衰减相关论文
半导体的检测与分析是一个介于基础研究与应用研究之间的领域,涉及内容广泛。随着半导体科学技术的快速发展,半导体材料测试与分析......
少子寿命是反映半导体材料质量和器件特性非常重要的参数之一,在改善SiC双极功率器件的通态和开关特性方面起到了至关重要的作用.......
本文采用卤灯光照，微波光电导衰减仪（MWPCD）测试对铸造多晶硅的光致衰减进行了研究。首先比较了铸造多晶硅与CZ 单晶硅的衰减，前者衰减......
近年来,由于碳化硅（SiC）双极器件在超高压（>5000 V）应用领域优越的性能,SiC PiN二极管、双极结晶体管（BJTs）和绝缘栅双极型晶体管（IGBTs）等......
为了更好地了解P型4H-SiC的电学特性,评价其晶体质量,利用激光和微波技术作为非接触、非破坏性测量半导体特性的一种工具,详细描述......
