微波场效应晶体管相关论文
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
研制成 Ga As/ In Ga As异质结功率 FET(HFET) ,该器件是在常规的高 -低 -高分布 Ga As MESFET的基础上 ,在有源层的尾部引入 i-In......
<正> 一、引言 GaAs微波场效应晶体管是通信卫星转发器中的关键器件,除了电性能指标要求高以外,还要求高可靠、长寿命。目前,国际......
研制成GaAs/InGaAs异质结功率FET（HFET），该器件是在常规的高-低-高分布GaAsMESFET的基础上，在有源层的尾部引入i-INGaAs层。采用HEFT研......
本文介绍了用网络分析仪测量波晶体管散射参数(S参数)的方法。给出了国产WC-50型低噪声砷化镓场效应晶体管在S、C、波段的测量结果......
本文叙述了微波场效应晶体管(FET)开关的基本工作原理,重点讨论7.5～16.5GHz单刀三掷有源FET开关的设计考虑和设计方法。对于所设计......
