已有的研究结果表明，抬高源漏和凹陷源漏结构对于减小UTB SOI器件串联电阻有较好效果，但对这两种结构中开态下载流子输运影响的研究......

本论文详细研究了抬高源漏(ElevatedSourceandDrain，简称ESD)超薄体(UltraThinBody,简称UTB)SOIMOSFET和凹陷源漏(RecessedSourcean......

采用新的工艺技术，成功研制了具有抬高源漏结构的薄膜全耗尽SOICMOS器件．详细阐述了其中的关键工艺技术．器件具有接近理想的亚阈值特......

采用新的工艺技术,成功研制了具有抬高源漏结构的薄膜全耗尽SOICMOS器件.详细阐述了其中的关键工艺技术.器件具有接近理想的亚阈值......