指数掺杂相关论文
利用标准微电子工艺研制出了一种可以应用于微波倍频电路中的肖特基势垒变容二极管,采用平面结构的制作工艺,克服了传统制作工艺的......
将GaAs光电阴极发射层掺杂浓度由体内到发射表面从高到低的进行指数掺杂,能在发射层形成一个恒定的内建电场,有利于光电子的逸出.......
光子增强热电子发射型太阳能转换器是一种理论效率极高的新型太阳能利用技术．提出利用指数掺杂GaAs材料作为光子增强热电子发射型太......
像增强器是构成微光夜视系统与成像型紫外探测系统的核心部件,其分辨力和信噪比是决定像增强器探测能力和成像质量的主要性能参数......
通过建立和求解指数掺杂阴极中电子所遵循的二维连续性方程,得到了透射式指数掺杂阴极的调制传递函数表达式,并利用该表达式对阴极......
将In0.53Ga0.47As吸收层设计为多个薄层,通过不同浓度掺杂实现吸收层杂质指数分布,建立了InP/In0.53Ga0.47As/InP红外光电阴极模型......
采用指数掺杂技术,通过金属有机化学气相沉积法外延生长了反射式GaAlAs和GaAs光电阴极,GaAlAs发射层的Al组分设计为0.63.在超高真......
