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掺杂调制相关论文
垒层厚度和掺杂调制对InGaN/GaN基LED性能影响的研究
宽禁带、直接带隙半导体材料GaN,被广泛应用于光电子器件中。InGaN/GaN多量子阱结构作为GaN基LED的核心部分,也成为当前半导体光电领......
学位
氮化镓
多量子阱
垒层厚度
掺杂调制
载流子分布
蓝光LED
二维MoS2的掺杂调制和热电性质的研究
ue*M#’#dkB4##8#”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:(100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
学位
MoS2
第一性原理计算
掺杂调制
热电性质
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