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掺砷衬底相关论文

3英寸重掺砷衬底高阻厚层硅外延生长技术

本文介绍了采用常压方式外延的方法,在3英寸重掺砷衬底上生长出了电阻率＞80Ωcm,厚度＞30μm的高质量硅外延层,从而使器件获得较为理......

会议

英寸掺砷衬底高阻厚层硅外延层设计定型电阻率质量器件理想厚度方法常压

掺AS硅单晶片外延技术

本文论述的N/N+EPI,是在重掺AS衬底单晶片上生长一层N型EPI层.因重掺AS硅单晶片在EPI生长过程中自掺杂严重,如何控制好EPI层的掺杂......

期刊

掺砷衬底外延(EPI) 自掺杂自封闭

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