掺质相关论文
近年来,β-Ga2O3材料的研究和应用成为国际上的热点.由于β-Ga2O3禁带宽度大(4.8～4.9 eV),击穿场强高达8 MV/cm3,其单晶可以通过多......
该论文对采用Bridgman法生长钨酸铅晶体中存在的宏观缺陷以及晶体的掺质效应进行了研究.晶体着色和开裂是钨酸铅晶体生长中主要存......
摘 要：YAP晶体以其斜方晶系结构导致的各向异性和高低增益的单晶取向的结构优势，使其具有熔点低、晶体生长提拉速度快的优势、稀土离......
由于与GaN晶格失配小(约1.4%),γLiAlO2单晶有望成为GaN外延衬底材料。本文首先使用提拉法生长出了尺寸达45×50mm3的γLiAlO2单......
采用高温溶液法生长了含掺质离子Ｚｒ＾４＋，Ｇａ＾３＋的单掺和双掺系列ＫＴＰ型晶体。晶体生长过程中发现Ｇａ掺入溶液后，体系更加稳定，容易生长出光学质量的晶体；而......
由于与GaN晶格失配小(约1.4%),γ-LiAlO2单晶有望成为GaN外延衬底材料.本文首先使用提拉法生长出了尺寸达φ45×50mm3的γ-LiA......
本文采用草酸盐共沉淀工艺制备粉料,采用常规烧结法,并掺入适量的稀土元素钐(～0.1at%)而研制出的加速器用的高频大功率Ni-zn铁氧体......
本文采用碱法生长针形α-FeOOH,并经过脱水、还原、氧化热处理而使α-FeOOH相转变为γ-Fe_2O_3。在α-FeOOH品核形成过程中,以共沉......
铁电体硫酸三甘氨酸(TGS)晶体因其室温下具有具有较大的热释电系数和较小的介电常数,在红外区有强烈的吸收,热释电灵敏度高,易于从......
