施主能级相关论文
The temperature-dependent photoluminescence(PL) spectra of BaIn2O4,prepared by coprecipitation,are measured and discusse......
基于实际研究中较少关注的C杂质对ZnO中的影响,通过第一性原理研究了ZnO中非故意掺杂的C杂质对其晶体结构和电子结构的影响,结果发......
研究了（Ｓｒ＿（０．４８）Ｐｂ＿（０．４８）Ｙ＿（０．０３）Ｃａ＿（０．０１））ＴｉＯ＿３基陶瓷的半导化行为。结果表明：ＰｂＯ适当过量有利于半导化。Ｒａｍａｎ光谱，ＡＥＳ（Ａｕｇｅｒｅｌｅｃｔｒｏｎｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析表明，随着ＳｉＯ＿２含量的增加，氧空位浓度及Ｔｉ￣（３＋）浓度增大，ＸＲＤ分析表明，随ＳｉＯ＿２含量增大......
王占国半导体材料物理学家。中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室主任，研究员，博士生导师。半绝缘Ⅲ－Ⅴ旅材料国际顾问委......
本文介绍金属氧化物气敏特性研究的概况，以及我们最近完成的两个理论框架：①反应动力学理论；②扩散反应理论．
This article presents ......
采用喷涂热解法制备了以Cd2SnO4为代表的四种半导体薄膜，即Cd2SDO4，In2SnO5，TiSnO4及Zn2SnO4。测试了薄膜的半导体、光学和电学性能，得......
氧空位与材料的气敏特性有着密切的关系，气敏材料的电导率由氧空位的形成和氧化过程共同决定，氧空位浓度越大，气敏效应越明显。根据氧......
制备了不同结构的金刚石薄膜电致发光器件，研究了其光谱特性和发光特性。结果发现一般结构的样品器件的发光强度和激发电源频率之间......
利用全势ＬＭＴＯ(ＦＰ－ＬＭＴＯ)理论计算方法,对ＺｎＯ中的某些缔合缺陷(如氧空位和锌填隙、锌填隙和锌空位及锌的氧反位缺陷〕的电子结构进行了计算根据本文......
在低温中,半导体 pn 结的电容和温度之间有很密切的关系。利用这种特性,可以制成新型的电容温度计。这种电容温度计的特点之一是......
本文首次较系统报导了HCl气氛中制备的ZnS:Mn粉末DCEL材料的特性。指出HCl气氛的主要作用,一是使材料结晶更好,二是引进Cl施主能级......
介绍了锑掺杂二氧化锡(ATO)的特点、导电机理、制备方法研究现状及目前存在的问题。ATO具有良好的导电性、浅色透明性、稳定性、粒......
用双施主模型对Ｂｉ１２ＳｉＯ２０（ＢＳＯ）类光致折射晶体中全息图记录和读出的Ｋｕｋｈｔａｒｅｖ单施主模型进行了修正。并用以讨论了全息图的衍射率，得到一个描述衍射率的普遍......
一、引言近年来,对光谱增感机理的讨论都是以单电子或正穴从染料分子转移到卤化银为依据的。这些讨论认为,电子的传递过程,取决于......
引言在以前的论文中,已经讨论过AgBr晶体在吸收了具有足够生成自由电子—空穴对能量的光子后,继而发生潜影形成基元步骤的顺序问......
作为本文研究的主要目的,证实了X_α—重叠球方法在研究共价半导体中深能级杂质的适用性.作者利用自旋非极化的X_α—重叠球方法计......
在Si引入深能级杂质Au,可以用来制作高灵敏感温元件。Au在Si中具有双重能级,其固溶度低,分凝系数很小,易发生非活性沉淀,又有较大......
GTL 的原理金扩散晶体管逻辑(GTL)由接近本征的高电阻和常规的金扩散npn 晶体管组成。由于上述的金扩散,GTL 的各元件已自隔离,再......
本文在20°—300°K研究了室温载流子浓度2×10~(12)—1×10~(20)cm~(-3)含硼或磷(砷)Si的电学性质。单晶Si材料是由直拉法与浮带......
为了进一步阐明半绝缘液封直拉(SI LEC)GaAs中EL_2缺陷的本质,本文结合GaAs中有关点缺陷的形成机理进行了EPR“A_(SG_a)”及EL_2两......
一、引言 对Ⅲ-Ⅴ族半导体混晶中普遍存在的施主中心(DX中心)的研究,近几年来很活跃。实验观察到AlGaAs中施主中心的主要性质:1.......
本文用一个自旋极化的自洽紧束缚格林函数方法预言了ZnSe_(1-x)S_x合金系统中Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni和Cu等9个3d过渡金属杂质引入......
本文利用光电容瞬态技术,在不同温度下,首次测得了N型掺锰(Mn)硅中与Mn相关的Mn施主能级Mn_i~(o/+)(Ec-0.416eV)的绝对电子光电离......
首次利用导纳谱技术研究了450℃处理后的CZ-Si.导纳谱、DLTS和霍耳测量的结果表明:热施主有四个施主能级,即 E_c-(330～280)meV、E_c......
本文报道了用I-I＇法测量在超高真空中n型GaAs(110)解理面上制备的Cu、Ag、Au二极管的肖特基势垒高度,以及用同步辐射的软X射线光电......
本文给出DX中心为负U中心时所满足的统计规律。指出它与大量AlGaAs:Si的Hall实验不定量符合。为此我们提出,Si可能形成二种不同的......
本文详细分析了MIM有源薄膜器件及阵列的工作原理、工艺过程和器件性能.根据一种液晶有源薄膜器件阵列设计模型,设计和研制出了MIM......
用光致发光技术研究了未掺杂半绝缘砷化镓中的深能级缺陷,观察到一系列与其有关的光致发光.其中0.69eV发射带是源自EL2的辐射复合......
本文报道了在室温下，用飞秒脉冲激光低强度激发诱导光致发光谱，获得氧化锌纳米颗粒（平均直径约为10nm）缺陷发光光谱的实验。探讨了氧化......
利用吸收光谱的方法研究了氮气气氛下生长的含氮Ｓｉ单晶中浅施主的温度行为。变温测量过程中，除观察到磷和五类与Ｎ、Ｏ相关的复合型浅施主......
InP基高电子迁移率晶体管(HEMTs)具有极其优秀的低噪声性能和更佳的高频性能[1-4].由于在InGaAs层中载流子的迁移率和电流都很高,......
用低温光致发光光谱,暗条件及光照条件下的深能级瞬态谱方法,对组分范围为x=0.23-0.77的掺Te的AlGaAs混晶的杂质能级进行了研究.结......
本文用一个自旋极化的自洽紧束缚格林函数方法预言了ZnSe_(1-x)S_x合金系统中Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni和Cu等9个3d过渡金属杂质引入......
用红外吸收的方法测量了不同组分的原生未掺杂LEC GaAs晶锭不同部位EL2浓度([EL2]),并用热处理后快速冷却的方法模拟晶体生长后冷......
使用光谱表征技术研究了非掺杂n型GaN的蓝光发射机理，给出了427－496nm(2.5-2.9eV)范围的蓝光的发光模型。蓝光发射为施主型发射，施主......
<正> 一、引言氧离子注入n型或p型GaAs半导体材料中能形成具有热稳定性的半绝缘层。在前一篇报告中,已报导了关于它的物理特性的研......
我们用电容瞬态技术研究了P型硅中金的空穴俘获截面与温度的关系。实验测得金的受主能级的空穴俘获截面对温度有强烈的依赖关系,即......
从宝石（矿物）的化学组成都具有阴，阳离子的异价类质同象，引起晶格缺陷，产生施主-受主能级，缩短了禁带宽度，在外场作用下电子从陷井中向受......
