旋转 ＣＶＩ是在 ＣＶＩ原理基础上发展的一种制备 Ｃ／ＳｉＣ复合材料的新工艺，通过石墨衬底的旋转，使预制体的制备与基体的沉积同步进行，能有效消除一般ＣＶＩ工......

用旋转ＣＶＩ工艺，通过优化工艺参数，在低压（５ｋＰａ）、高温（１１００℃）、高Ｃ３Ｈ６浓度（６２。５ｖｏｌ％）以及３．５ｍｍ·ｍｉｎ＾－１碳布旋转线速度条件下，在二维碳布上快速制备了厚度均匀（０．２５μｍ）、表面规......

旋转ＣＶＩ是在ＣＶＩ原理基础上发展的一种制备Ｃ／ＳｉＣ复合材料的新工艺，通过石墨衬底的旋转，使预制体的制备与基体的沉积同步进行，能有效消除一般ＤＶＩ工艺过......