用固源分子束外延技术(SSMBE)在GaAs(111)衬底上，采用不同的界面中断时间生长了多组AlGaAs/GaAs多量子阱样品(MQWs)，通过室温发光光......

半导体及其低维结构是凝聚态物理研究的重要对象之一，其中的自旋物理过程不仅包括丰富的物理内涵，而且有望通过结合半导体制造工艺而......

用固源分子束外延技术（SSMBE）在GaAs（111）衬底上，采用不同的界面中断时间生长了多组AlGaAs／GaAs多量子阱样（MQWs），通过室温发光光谱和时间分......