本文指出，在影响Ｐ型（１００）硅处延埋层图形畸变的诸因素中，衬底晶向偏离度是决定性的。并进一步指出，Ｐ型（１００）硅衬底主晶向朝最近（１１０）晶向偏离２～３°时可得到......

新一代太阳电池所需的锗片厚度仅为140μm,在加工过程中更容易出现边缘破损,因此,锗片的边缘质量控制更为迫切。从单晶质量控制、......

本文介绍了晶向偏离度的测定方法,阐述了三种不同要求下晶向偏离度的测定方法,并描述了一些可能导致晶向偏离度计算错误或者晶向偏......