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氧化锡(SnO2)是一种具有直接带隙的宽禁带半导体材料，室温下氧化锡的禁带宽度是3.62eV，具有130meV的激子束缚能，另外，氧化锡的制备温度......
对16原子GaAs超胞中In替位式掺杂的模型进行深入研究,发现当In掺杂比例从0-1变化时,具有256种掺杂方式,共计13种对称属性。研究还......
对16原子GaAs超胞中In替位式掺杂的模型进行深入研究,发现当In掺杂比例从0~1变化时,具有256种掺杂方式,共计13种对称属性。研究还......
期刊
近年来MoS2在有毒气体传感器和储氢材料领域得到了关注,而这两个领域从根本上来说都属于气体吸附。本文应用第一性原理对单层MoS2......
