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讨论了Ga含量对四元有序缺陷化合物Cu(In,Ga)3Se5薄膜的晶格振动模式的影响,室温下CuIn3Se5与CuGa3Se5A1模式峰位分别位于153cm^-1和......
讨论了Ga含量对四元有序缺陷化合物Cu(In,Ga)3Se5薄膜结构的影响.Ga含量的增加引起晶格扭曲系数η近似按抛物线形式增加,而其晶格......
利用第一性原理模拟计算铜铟硒(CIS)太阳能电池CIS吸收层,及CIS中普遍存在的有序缺陷化合物(ordereddefectcompound,ODC)CuIn,Se。的性质.......
采用新颖的周期顺序蒸发和真空硒化退火工艺生长出p型CuIn0.7Ga0.5Se2薄膜.通过XPS谱、Raman谱、XRD谱分析了预生长层以及硒化后的C......