通过变温霍尔效应实验，在77～420K 温度范围内对 N 型 Ge标准样品的电学特性进行测量．根据对高温本征导电区斜率的计算，得到样品禁带宽......

Hg1-xMnxTe 是一种典型的窄禁带Mn 基Ⅱ-Ⅵ 族磁性半导体材料(Semimagnetic Semiconductors),并已应用在红外光电探测器、发光二极......

采用变温霍尔效应方法测量了浅掺杂n型锗薄膜的半导体电学特性。根据77K~400K温度范围内的变温霍尔效应测量,通过对实验数据曲线的......