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GaN薄膜的分子束外延制备和极性研究
宽禁带III-V族氮化物半导体材料在短波段发光器件、光探测器件以及抗辐射、高频和大功率电子器件方面有着广阔应用前景。本论文在......
学位
氮化物半导体材料
氮化镓薄膜
制备方法
分子束外延
极性研究
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