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研究了P型MOSFET的NBTI效应退化机理，以及栅氧化层电场和沟道载流子浓度对NBTI效应的影响．首先，通过电荷泵实验对NBTI应力带来的pMOSF......
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提出了一种1200V 4H-SiC CIMOSFET优化结构。该结构在JFET区引入P型注入,以降低栅氧化层电场,提高器件的可靠性;在积累区引入N型注......
